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新品 | 12个CoolSiC™ MOSFET新型号-1200V CoolSiC™ MOSFET Easy1B和Easy2B模块

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又有一批12个不同型号的EasyPACK和EasyDUAL 1B和2B CoolSiC MOSFET模块上市，他们采用CoolSiC MOSFET增强型1代，适用于电动汽车
 

又有一批12个不同型号的EasyPACK™和EasyDUAL™ 1B和2B CoolSiC™ MOSFET模块上市，他们采用CoolSiC™ MOSFET增强型1代，适用于电动汽车充电、UPS和光伏、储能。

这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测，有Al2O3/AlN DCB两种版本，型号中带P的是预涂TIM材料。

 

产品型号：

▪️ F4-8MR12W2M1H_B70

8毫欧 H桥 AlN DCB

▪️ F4-8MR12W2M1HP_B76

8毫欧 H桥TIM

▪️ F4-11MR12W2M1H_B70

11毫欧 H桥 AlN DCB

▪️ F4-11MR12W2M1HP_B76

11毫欧 H桥 TIM

▪️ F4-33MR12W1M1H_B76

33毫欧 H桥

▪️ F4-17MR12W1M1H_B76

17毫欧 H桥

▪️ F4-17MR12W1M1HP_B76

17毫欧 H桥 TIM

▪️ F3L11MR12W2M1HP_B19

11毫欧 T-三电平 TIM

▪️ FF11MR12W2M1H_B70

11毫欧 半桥 AIN DCB

▪️ FF11MR12W2M1HP_B11

11毫欧 半桥 TIM

▪️ FS13MR12W2M1H_C55

13毫欧 三相桥 AIN DCB

▪️ FS13MR12W2M1HP_B11

13毫欧 三相桥 TIM 

 

产品特点

1200V CoolSiC™ MOSFET

Easy1B，Easy2B封装

非常低的模块寄生电感

RBSOA反向工作安全区宽

栅极驱动电压窗口大

PressFIT引脚

 

应用价值

扩展了栅源电压最大值：+23V到-10V

在过载条件下，Tvjop最高可达175°C

最佳的性价比，可降低系统成本

可工作在高开关频率，并改善对冷却要求

 

竞争优势

完整的半桥SiC模块产品组合，包括标准Al2O3 DCB和低热阻高性能AIN DCB


应用领域

电动汽车充电

储能系统

光伏

UPS

 

（来源：168中自网）
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