8月23日讯：近来 NAND 闪存客户需求低迷，三星电子此前计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备，并暂停存储芯片第六代 V-NAND 成熟型制程报价。
此前据外媒 BusinessKorea 报道，在市场需求未明显好转的情况下，三星电子和 SK 海力士正面临不小的压力，库存依旧处在高位，下半年考虑将继续减产。
而据外媒引用供应链消息表示，今年第三季度 DRAM 芯片的平均价格将延续下跌态势，环比跌幅 5%，超出此前预期的 3%。
外媒称，存储行业人士表示，芯片制造商的存储芯片库存下跌速度，没有他预料的那么快，库存过剩问题可能延续至 2024 年上半年，目前第四季度交货价格比预期要差。
而当下产业预估的情况是“存储芯片价格明年年初会上涨”，不过外媒表示，若价格跌势未能按预期扭转，相关产业产品“涨价的时间点将不可避免地延后”。
据悉，三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存，在上半年结束时已增至 33.69 万亿韩元（IT之家备注：当前约 1836.1 亿元人民币），高于去年年底时的 29.06 万亿韩元。SK 海力士在上半年结束时的库存为 16.42 万亿韩元（当前约 894.89 亿元人民币），较去年年底也增加了 5%。
原标题：消息称三星电子、SK 海力士等减产 NAND 闪存将“倒逼行业明年迎来涨价”
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