8英寸SiC单晶材料：三安半导体引领xEV技术前沿

三安半导体作为SiC全链整合制造平台，在本次大会上展示了其在电力电子领域的最新研究成果。公司总经理助理高玉强博士受邀出席，在功率半导体创新技术论坛上发表题为“8英寸SiC单晶材料进展”的技术报告，深入分析了SiC电力电子产业链的现状，8英寸SiC单晶材料的技术趋势与挑战，以及行业发展情况和展望。
 

报告特别指出，8英寸SiC单晶材料的突破性进展不仅提升了生产效率，而且通过规模化生产显著降低了成本，为SiC器件在新能源汽车的大规模应用铺平了道路。此外，350微米厚度的8英寸衬底、外延和器件量产是突破8英寸成本壁垒，从6英寸跨越到8英寸的关键。
 

三安的积极参与不仅彰显了公司在SiC单晶材料领域的技术实力，也体现了其在推动新能源汽车产业发展中的重要作用。通过与全球同行的深入交流，共同推动电驱动系统技术的创新和应用，为新能源汽车产业的可持续发展贡献力量。
 

为满足新能源汽车低碳化、电气化的需求，三安深耕电力电子领域，保持供应链稳定，以卓越的产品质量，优质的服务，强大的交付实力引领功率半导体行业高速发展，助力新能源汽车产业迈向更加绿色、高效的未来。