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打不死的IGBT!
打不死的IGBT!
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打不死的IGBT!
近年来,以SiC(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱
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2023-03-28
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